拓扑洪德定则和三联横向量子点分子的电子性质
介观与纳米尺度物理
2015-06-25 v3 材料科学
摘要
我们从理论和实验上分析了三个耦合横向量子点填充电子的电子结构和充电图。使用哈伯德模型和实空间精确对角化技术，我们表明这种人工分子的电子性质可以用一组拓扑洪德定则来理解。这些定则将多电子能级与自旋和点间隧穿联系起来，并控制充电能量。我们绘制了多达N=6个电子的充电图，并预测了两个空穴的自旋极化相。将理论充电图与门控三量子点器件的测量充电图进行了比较。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0610175,
title = {Topological Hunds rules and the electronic properties of a triple lateral quantum dot molecule},
author = {Marek Korkusinski and Irene Puerto Gimenez and Pawel Hawrylak and Louis Gaudreau and Sergei A. Studenikin and Andrew S. Sachrajda},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0610175},
year = {2015}
}
备注
31 pages, 7 figures, accepted to March 15, 2007 issue of Phys. Rev. B, vol. 75