石墨烯纳米片中的拓扑阻挫：磁序与自旋逻辑器件
其他凝聚态物理
2015-05-13 v2
摘要
石墨烯相关结构中的磁序可源于尺寸效应或拓扑阻挫。我们引入了一个严格的分类方案，用于描述导致大净自旋或电子自旋群间反铁磁耦合的有限石墨烯结构（纳米片）类型。基于此方案，我们提出了可作为设计高密度超快自旋电子器件基本逻辑门（NOR和NAND）的具体结构示例。我们利用从头算电子结构计算证明，这些逻辑门原则上可在室温下以极低且可纠正的错误率运行。
引用
@article{arxiv.0903.4402,
title = {Topological Frustration in Graphene Nanoflakes: Magnetic Order and Spin Logic Devices},
author = {Wei L. Wang and Oleg V. Yazyev and Sheng Meng and Efthimios Kaxiras},
journal= {arXiv preprint arXiv:0903.4402},
year = {2015}
}
备注
Typo in title fixed