自旋与电荷的拓扑约束：pi 型势垒中的自旋子

拓扑非平凡状态——脱冲器——作为 1 维电子体系的基本激发态出现。在准 1 维材料中，拓扑要求导致具有电荷或自旋鞍点样激发态，其电荷或自旋鞍点在核心中局域化。它们源于由于约束和组合对称性导致的自旋-电荷复合。这些鞍点具有半整数缠绕数，这可能与量子计算方案中讨论的配置相关。实际上重要的是自旋子作为准 1 维超导体中单个电子 pi 型势垒的情形。