作为暗物质门户的顶夸克与中微子质量生成

我们提出了一个在引入可行的暗物质候选者的同时辐射生成马约拉纳活性中微子质量的新模型。这可以通过在标准模型中引入一个具有暗宇称的单个马约拉纳中微子、一个色电弱单态标量以及一个色电弱三重态标量来实现。在此框架下，$up$ 型夸克发挥了特殊作用，充当暗物质的门户和中微子质量生成的信使。我们考虑了三种基准情景，在这些情景下暗物质丰度可以与最新实验结果相符，同时生成毫电子伏特范围的中微子质量。我们展示了来自轻子味破坏的约束，特别是 $\mu\to e\gamma$ 的分支比，如何对我们的暗物质候选者与顶夸克之间的耦合设定下限。此外，我们表明该耦合也可以利用来自 Tevatron 和 LHC 的对撞机数据进行约束。