基于广义主方程的半导体纳米结构中的时间依赖磁输运
介观与纳米尺度物理
2012-03-15 v1
摘要
在垂直磁场存在下，电子通过二维半导体纳米结构的输运取决于系统几何结构、引线以及磁长度的相互作用。我们使用广义主方程（GME）形式来描述通过系统的输运，无需借助马尔可夫近似。与引线的耦合导致系统中的弹性和非弹性过程，这些过程由GME形式的积分微分方程高阶描述。系统和引线的几何细节在电子通过它们的输运中留下了印记。GME形式可用于描述引线与系统耦合后立即出现的初始瞬态阶段以及较长时间后达到的稳态。
引用
@article{arxiv.1002.1579,
title = {Time-dependent magnetotransport in semiconductor nanostructures via the generalized master equation},
author = {Vidar Gudmundsson and Chi-Shung Tang and Cosmin Mihai Gainar and Valeriu Moldoveanu and Andrei Manolescu},
journal= {arXiv preprint arXiv:1002.1579},
year = {2012}
}
备注
Elsarticle pdfLaTeX, 3 pages with 6 png-figures included, Contribution to CCP-2009, submitted to Computer Physics Communications