三端半导体结热电器件：性能提升
介观与纳米尺度物理
2013-07-25 v2
摘要
提出了一种基于--半导体结的三端热电器件，其中本征区连接至一个通常为玻色子的热端。值得注意的是，该器件的品质因数不仅由电子的能量分布决定，还受参与输运过程的{\em 玻色子}能量分布的支配。当相关分布较窄且电子 - 玻色子耦合较强时（如光学声子情形），可获得增强的品质因数。我们研究了使该三端结品质因数优于由相同材料制成的常规热电器件的条件，并提出了一种基于 BiTe/Si 超晶格的高品质因数可能方案。
引用
@article{arxiv.1305.4612,
title = {Three-terminal semiconductor junction thermoelectric devices: improving performance},
author = {Jian-Hua Jiang and Ora Entin-Wohlman and Yoseph Imry},
journal= {arXiv preprint arXiv:1305.4612},
year = {2013}
}
备注
Published in New Journal of Physics: Focus on Thermoelectric Effects in Nanostructures (open access). For published version, see http://dx.doi.org/10.1088/1367-2630/15/7/075021