金属-强相关半导体异构结构的热电性质
强关联电子
2009-10-31 v1 材料科学
摘要
我们提出了金属与稀土化合物半导体异构结构的构型，可作为可能的高效低温热电器件的基础。若在界面处放置与bulk不同的稀土原子层，可在低温下实现非常高的热电系数 ZT。这是由于载流子在异构结构跨越窄能范围时的传输系数呈现尖锐变化，这本质上与界面 f 轨道的局域性质密切相关。
关键词
引用
@article{arxiv.cond-mat/0009370,
title = {Thermoelectric properties of junctions between metal and strongly correlated semiconductor},
author = {Massimo Rontani and L. J. Sham},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0009370},
year = {2009}
}
备注
RevTeX 3.0, 4 pages, 3 postscript figures. To be published in Applied Physics Letters