通过同步辐射布朗曼效应 X射线拓扑断层实现 $\beta$-Ga$_2$O$_3$晶格缺陷三维可视化
材料科学
2026-04-21 v1
摘要
-GaO 是下一代功率电子器件的有前景的材料，但其性能受晶格缺陷如位错的强烈影响。本研究展示了在两种衍射布朗曼效应条件下，使用同步辐射 X射线拓扑断层实现对 -GaO 位错的三维（3D）可视化。通过围绕衍射向量旋转样品，在不同旋转角度获取一系列拓扑断层图像，捕捉位错对比度的演化，提供了位错的直观、深度分辨率可视化。该方法可清晰分离结构中位错与基片的位错，为位错传播及其对 epitax 生长和器件性能的影响提供了洞察。该研究首次展示了 -GaO 中3D 位错重建。
引用
@article{arxiv.2604.17826,
title = {Three-dimensional visualization of lattice defects in $\beta$-Ga$_2$O$_3$ via synchrotron-radiation Borrmann-effect X-ray topo-tomography},
author = {Yongzhao Yao and Daiki Katsube and Hirotaka Yamaguchi and Shinya Yamaguchi and Daiki Wakimoto and Hironobu Miyamoto and Yukari Ishikawa},
journal= {arXiv preprint arXiv:2604.17826},
year = {2026}
}
备注
22 pages, 5 figures