三维几何结构与 H II 区分析
星系天体物理
2015-06-15 v1
摘要
我们比较了低密度 H II 区的光电离模型中平滑壳层与分形壳层几何结构的发射线强度，特别关注低电离诊断图 [N II]/H-alpha 与 H-alpha。基于先前发表的模型和对 Barnard's Loop 的观测，我们表明观测到的强度范围和线强度比的变化可以通过三维壳层几何结构重现。我们的模型在整个模型星云中采用太阳丰度，这与先前的一维建模形成对比，后者认为只有将重元素丰度增加 1.4 倍才能重现线强度比的变化。对于空间分辨的 H II 区，穿过平滑和分形壳层并采样不同电离和温度条件的多条视线会产生一系列线强度，如果仅计算整个星云模型的总积分强度，这些强度很容易被忽视。我们的结论是，通过一维几何结构的光电离模型推断 H II 区属性（如元素丰度）必须谨慎对待，并需通过三维建模进一步验证。
引用
@article{arxiv.1304.1689,
title = {Three dimensional geometries and the analysis of H II regions},
author = {Kenneth Wood and J. E. Barnes and Barbara Ercolano and L. M. Haffner and R. J. Reynolds and J. Dale},
journal= {arXiv preprint arXiv:1304.1689},
year = {2015}
}
备注
10 pages, 4 figures, accepted for publication in ApJ