含拓扑超导体的干涉仪中电子隐形传态的边界势方法描述

一维拓扑超导体在其两端容纳一对马约拉纳零模。在含有此类拓扑超导体的干涉仪中，电子传输受到构成非局域态的马约拉纳零模的显著影响，该非局域态局域在超导体的两端附近。当超导体中的电子数N受充电效应约束时，通过该非局域态的共振隧穿预计会产生异常的传输特性。这种共振隧穿称为电子隐形传态，但由于没有简单的方法来处理对N的约束，因此不易描述。在此，我们提出了一种基于散射理论的边界势方法，用于在给定N约束下计算干涉仪的电导。该方法使我们能够考虑相关的充电能量和系统的细节来计算电导。