空间非均匀介质磁小角中子散射中的三阶效应

磁小角中子散射 (SANS) 是研究磁性材料内部非均匀磁化结构的有力工具。在此，考虑到具有弱非均匀单轴磁各向异性、饱和磁化强度和交换劲度的铁磁介质，我们推导了平衡磁织构的二阶（关于非均匀性振幅）微磁解，并计算了直至下一阶（三阶）的相应磁 SANS 截面。我们发现，在垂直散射情况下（入射中子束垂直于外加磁场），如果从沿磁场方向的截面中减去两倍于垂直于磁场和中子束方向的截面，结果仅包含三阶贡献（低阶项被抵消）。该差值不依赖于交换非均匀性的振幅，为更深入分析样品的磁结构提供了独立的途径。针对球形高斯非均匀性的情况，我们推导并分析了该组合量对散射矢量幅值依赖关系的解析表达式。