利用极化小角中子散射研究磁性纳米线有序阵列

本文报道了关于嵌入自组织多孔氧化铝 (Al$_{2}$O$_{3}$) 基体中的铁磁 Co 纳米线阵列 ($\phi\approx13$ nm) 的极化小角中子散射 (PSANS) 实验结果。我们研究了该三角形排列的准直纳米线阵列随外加磁场的变化，旨在通过实验确定材料在磁滞回线循环内部的实空间磁化强度 $\vec{M}(\vec{r})$ 分布。对依赖于磁场的 SANS 强度的观测使我们能够表征静磁场的影响。我们将 PSANS 实验数据与静磁模拟进行了比较。这些结果证明，PSANS 是一种能够探测纳米结构磁性系统中实空间磁化强度分布的技术。我们表明，除了非极化 SANS 已可获取的结构信息（物体形状、二维组织）之外，使用极化中子作为入射束还能提供关于纳米线之间磁形状因子和杂散场 \textgreek{m}0Hd 分布的信息。