电力电子电路的热设计
加速器物理
2016-07-07 v1 仪器与探测器
摘要
每个开关模式变换器的核心由若干开关半导体器件组成。由于其非理想特性，存在导通损耗和开关损耗使硅芯片发热。必须将该热量有效传递至环境，以防止器件过热甚至损坏。为具成本效益的设计，半导体应工作在其热极限附近。遗憾的是芯片温度无法直接测量。因此需要详细理解损耗如何产生，包括其定量估算。此外，必须详细了解至环境的热路径。本文描述了损耗产生及其向环境传递的主要问题，以及如何借助数据手册和/或实验进行估算。
引用
@article{arxiv.1607.01578,
title = {Thermal Design of Power Electronic Circuits},
author = {R. Künzi},
journal= {arXiv preprint arXiv:1607.01578},
year = {2016}
}
备注
17 pages, contribution to the 2014 CAS - CERN Accelerator School: Power Converters, Baden, Switzerland, 7-14 May 2014