半导体纳米片单与双电子自旋翻转拉曼散射理论
介观与纳米尺度物理
2021-01-04 v2
摘要
本文提出一种电子自旋翻转拉曼散射（SFRS）理论，描述在半导体纳米片重空穴激子近共振激发下，偏移单倍及两倍电子塞曼能量的拉曼谱信号。我们分析了光激发中间态的自旋结构，推导了自旋翻转散射的复合矩阵元，并获得了所有中间态共通的单电子与双电子 SFRS 的偏振性质。我们表明，在所考虑的共振散射过程中，“激子加局域常驻电子”复合物而非紧密束缚的三重激子态扮演主要中间态的角色。结果表明，除直接光激发（及类似光复合）通道外，还存在另一间接通道对 SFRS 过程有贡献。在间接通道中，光空穴与离开局域位的常驻电子形成激子态，而光电子则局域于该位上。理论结果与近期 CdSe 纳米片系综的实验发现进行了比较。
引用
@article{arxiv.2010.10385,
title = {Theory of single and double electron spin-flip Raman scattering in semiconductor nanoplatelets},
author = {A. V. Rodina and E. L. Ivchenko},
journal= {arXiv preprint arXiv:2010.10385},
year = {2021}
}
备注
17 pages, 3 figures, submitted