脉冲近似下局域自旋非弹性电子隧穿理论
材料科学
2013-05-29 v1
摘要
本文推导了吸附在非磁性金属表面上的单个磁性原子中自旋激发的非弹性电子隧穿电导台阶的简单表达式。隧穿电子与自旋之间的非弹性耦合是通过交换耦合实现的，并在使用Tersoff-Hamann近似描述针尖与样品之间隧穿的脉冲近似中进行处理。我们关于电导台阶的结果证明了Hirjebedin等人[Science 317, 1199 (2007)]使用简单的自旋矩阵元对单个磁性吸附原子中自旋激发的非弹性电子隧穿观测到的阶梯状电导所进行的分析是合理的。此外，我们的结果给出了电导台阶大小及其相对于针尖位置的横向空间变化的简单表达式，该表达式可以直接从样品费米能级处的自旋极化波函数计算得出。
引用
@article{arxiv.0811.2511,
title = {Theory of Inelastic Electron Tunneling from a Localized Spin in the Impulsive Approximation},
author = {Mats Persson},
journal= {arXiv preprint arXiv:0811.2511},
year = {2013}
}