绝缘Cu-O面中激子的理论
强关联电子
2007-05-23 v1
摘要
我们使用一个局域模型来研究绝缘Cu-O面中低能电荷转移激发的形成和结构。基本激发是自旋单态的束缚激子，由一个Cu和一个相邻的Cu-O空穴自旋单态组成。与单个空穴运动不同，激子可以在晶格中自由移动而不干扰反铁磁自旋背景。存在四种具有不同对称性的激子本征模式。类p波激子具有大的色散宽度。类s波激子在有限动量下与p态混合，其偶极跃迁强度具有很强的各向异性。该模型与绝缘SrCuOCl中的电子能量损失谱非常吻合。
引用
@article{arxiv.cond-mat/9804072,
title = {Theory of Excitons in Insulating Cu-Oxide Plane},
author = {Fu Chun Zhang and Kwai-Kong Ng},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/9804072},
year = {2007}
}
备注
5 pages, 5 figures and 1 table. Submitted to Phys. Rev. B