α-MoGe 薄膜中超导性的异常厚度依赖性
超导电性
2009-11-13 v1
摘要
α-MoGe 薄膜在厚度降至 30 nm 以下且面电阻超过 100 Ω/□时，超导转变温度 T_c 逐渐降低。我们对一组 α-MoGe 薄膜进行了远红外透射和反射测量，以表征这种减弱的超导态。我们的结果表明，在所有研究的薄膜中均存在能隙，其比值 2Δ₀/k_B T_c = 3.8 ± 0.1，略高于 BCS 值，尽管薄膜厚度减小导致转变温度显著降低。材料性质遵循 BCS-Eliashberg 理论，具有较大的残余散射率，但光学散射率中的相干峰在较薄超导样品中被强烈展宽。首次预测并观测到了 2Δ₀ 处的光学质量重整化峰。
引用
@article{arxiv.0803.1185,
title = {The unusual thickness dependence of superconductivity in $\alpha$-MoGe thin films},
author = {H. Tashiro and J. M. Graybeal and D. B. Tanner and E. J. Nicol and J. P. Carbotte and G. L. Carr},
journal= {arXiv preprint arXiv:0803.1185},
year = {2009}
}