InGaAs:ErAs 纳米复合材料中的亚带隙光电导
材料科学
2013-09-19 v1
摘要
研究了低温下超快 InGaAs:ErAs 纳米复合材料的光电导特性。在吸收光谱中识别出了抛物线型 Tauc 边和指数型 Urbach 尾。Tauc 边支持导带底部的态密度与能量的平方根成正比的结论。Urbach 边归因于由平滑微观内场引起的带间跃迁。发现均方内场平方根（其分布为高斯型）的量级为 V/cm，这与 Esser 的理论预测 (B. ~ Esser, Phys. stat. sol. (b), vol. 51, 735 (1972)) 非常吻合。
引用
@article{arxiv.1309.4675,
title = {The Sub-bandgap Photoconductivity in InGaAs:ErAs Nanocomposites},
author = {W-D. Zhang and E. R. Brown},
journal= {arXiv preprint arXiv:1309.4675},
year = {2013}
}