莫尔材料中激子与三激子的强调制极限
介观与纳米尺度物理
2022-07-20 v2 强关联电子
摘要
弱掺杂二维材料的光学性质以强激子和三激子吸收及发光特征为主导。本文中，我们考察了半导体异双层中的莫尔图案在强莫尔调制势极限下对激子和三激子态的影响，并就与半导体量子点中激子和三激子情形的异同进行评论。我们讨论了利用光学性质作为莫尔材料定量探针的策略，以及利用莫尔材料设计独特发光器的前景。
引用
@article{arxiv.2110.00106,
title = {The strong modulation limit of excitons and trions in moir\'e materials},
author = {Yongxin Zeng and Allan H. MacDonald},
journal= {arXiv preprint arXiv:2110.00106},
year = {2022}
}