纳米制备扭转半导体异双层中单个moiré激子的量子相干与干涉

Moiré势作为对光生激子的周期性量子限制,生成空间有序的零维量子系统。然而,由moiré势间非均匀性引起的宽发射谱阻碍了对moiré激子本征性质的探索。在本研究中,我们展示了一种新方法,在超越光衍射极限的扭转半导体异双层中实现单个moiré激子量子相干与干涉的光学观测。纳米制备后,展示了来自单个moiré激子的显著单尖且尖锐的光致发光峰。我们呈现了单个moiré激子更长的量子相干持续时间,其达到超过10 ps,以及随温度升高和激发功率密度增大而加速的退相干过程。此外,量子干涉揭示了不同moiré势极小处moiré激子间的耦合。观测到的moiré激子的量子相干与干涉将促进基于moiré量子系统的量子技术的潜在应用。