FBK 的 RSD（AC-LGAD）第二次制备
仪器与探测器
2022-08-24 v2
摘要
在本报告中，我们描述了由 INFN Torino 设计、由特伦托的 Fondazione Bruno Kessler (FBK) 制备的 RSD（Resistive AC-Coupled Silicon Detectors，电阻式交流耦合硅探测器）第二批流片。RSD 是基于 LGAD 技术的 n-in-p 型探测器，用于 4D 粒子径迹探测，其去除了任何分割注入以实现 100% 填充因子。它们的特征在于三个关键要素：(i) 连续的增益注入层，(ii) 电阻式 n 型阴极，以及 (iii) 顶部沉积的电介质耦合层，在保证命中位置良好空间重建的同时，受益于 LGAD 良好的时间特性。我们将从 RSD1 批次在径迹性能方面极具前景的结果出发，进而转入 RSD2 批次的设计描述。特别地，将阐述驱动传感器设计的原则以及为优化信号约束而采用的特定交流电极布局。
引用
@article{arxiv.2111.14235,
title = {The second production of RSD (AC-LGAD) at FBK},
author = {M. Mandurrino and R. Arcidiacono and A. Bisht and G. Borghi and M. Boscardin and N. Cartiglia and M. Centis Vignali and G. -F. Dalla Betta and M. Ferrero and F. Ficorella and O. Hammad Ali and A. D. Martinez Rojas and L. Menzio and L. Pancheri and G. Paternoster and F. Siviero and V. Sola and M. Tornago},
journal= {arXiv preprint arXiv:2111.14235},
year = {2022}
}