夸克-光子顶点与介子电磁形状因子

采用修饰光子-夸克顶点的阶梯 Bethe-Salpeter 解来研究π介子电磁形状因子和 $\gamma^\star \pi^0 \gamma$ 跃迁形状因子的低动量行为。利用先前由轻介子质量和衰变常数确定的模型参数,两个形状因子的低动量斜率与数据极为吻合。相比之下,常用的 Ball-Chiu 顶点近似被发现是有缺陷的;该近似仅产生所得 $r_\pi^2$ 的一半不到,而电荷半径的其余部分可归因于 $\rho$ 共振的尾部。