理想化掺杂石墨烯中的 Kohn-Luttinger 超导性
超导电性
2015-06-23 v1
摘要
本文考虑了理想化的石墨烯单层，忽略了基底的范德华势和非磁性杂质的作用。在 Kohn-Luttinger 机制的框架下，研究了狄拉克费米子系综中长程库仑排斥对单层中超导配对形成的影响。石墨烯的电子结构在六角晶格上的强耦合 Wannier 表示中进行描述。我们使用了 Shubin-Vonsowsky 模型，该模型考虑了电子的位点和位点间库仑排斥。通过求解 Bethe-Salpeter 积分方程确立了 Cooper 不稳定性，其中有效相互作用的角色由重整化散射振幅扮演。重整化振幅包含高达库仑排斥二阶项的 Kohn-Luttinger 极化贡献。我们构建了理想化石墨烯单层的超导相图，并表明 Kohn-Luttinger 重整化和位点间库仑排斥显著影响了具有 、 和 波对称性序参量的超导相之间的相互作用。
引用
@article{arxiv.1411.3795,
title = {The Kohn-Luttinger superconductivity in idealized doped graphene},
author = {M. Yu. Kagan and V. V. Val'kov and V. A. Mitskan and M. M. Korovushkin},
journal= {arXiv preprint arXiv:1411.3795},
year = {2015}
}
备注
9 pages, 5 figures