银河太阳中微子捕获截面积的再评估

银河太阳中微子通量约束来自 legacy GALLEX/GNO 和 SAGE 实验持续影响当代对中微子性质的全局分析。这些约束依赖于 various 太阳来源的中微子吸收截面积。跟随最近更新 $^{51}$Cr 和 $^{37}$Ar 中微子源截面积的工作，我们重新评估 $^{71}$Ga 太阳中微子截面积，关注跳转至 $^{71}$Ge 激发态的贡献，同时也修订 ground-state 跳转以考虑新的 $^{71}$Ge 电子俘获寿命测量和 various 理论校正。激发态贡献传统上取自正向角 $(p,n)$ 截面积。本文纠正了该程序以纠正约 10%--20% 的 张量算子贡献，这会改变 Gamow-Teller 和 $(p,n)$ 跃迁强度之间的关系。使用 state-of-the-art 核壳模型计算此校正，我们发现其降低了 $^8$B 和 hep 中微子截面积。然而，其他校正的加入——包括来自 near-threshold continuum 状态的辐射衰变贡献——导致 $^8$B 和 hep 截面积相对于 Bahcall 推荐值整体增加约 10%。通过蒙特卡罗模拟传递不确定性。