层内成键对少层 WSe2 电子光学相位图像的影响
材料科学
2017-03-20 v1
摘要
利用离轴电子全息术记录的电子光学相位图像的定量分析，通常依赖于电子在样品中传播的计算机模拟。然而，采用独立原子近似的模拟已知会高估实验相位移动约 10%，因为它们忽略了成键效应。本文比较了少层 WSe2 的实验与模拟相位图像。我们表明，结合赝势与全电子密度泛函理论计算，可以获得精确的平均电子相位，以及改进的原子分辨率电子相位空间分布。该比较证明，对于厚度精确已知的样品，实验与模拟的原子分辨率相位图像之间具有完美的衬度匹配。此方法的低计算成本使其适用于大型电子系统的分析，包括缺陷、替位原子和材料界面。
引用
@article{arxiv.1610.06417,
title = {The Effect of Intra-Layer Bonding on Electron-Optical Phase Images of Few-Layer WSe2},
author = {Sven Borghardt and Florian Winkler and Zeila Zanolli and Matthieu Jean Verstraete and Juri Barthel and Rafal Edward Dunin-Borkowski and Beata Kardynal},
journal= {arXiv preprint arXiv:1610.06417},
year = {2017}
}