二项式剪裁量子导线中的缺陷效应对电子电导的影响

本文研究了二项式剪裁波导量子导线中缺陷对电子输运性质的影响，其中每个 Dirac $\delta$ 函数势的强度均按二项分布律加权。我们假设单自由电子通道入射到该结构上，且电子散射仅源于问题的几何性质。我们采用转移矩阵法研究电子透射。我们发现这种新颖结构具有良好的缺陷容忍度。具体而言，对于二项分布中心的 Dirac $\delta$ 函数，该结构能容忍高达一定比例的强度缺陷和位置缺陷。此外，我们发现该结构能同时容忍高达一定比例的强度缺陷和位置位错。