在微波频率下测得的开口环谐振器阵列的复磁导率

我们测量了用于超材料的开口环谐振器（SRR）阵列的相对磁导率，这些超材料设计用于在窄微波频率范围内具有 $\mu^\prime< 0$。将 SRR 阵列装入环隙谐振器（LGR）的孔腔中，并利用反射系数测量来确定阵列有效磁导率的实部和虚部。数据作为阵列尺寸和 SRR 间距的函数被采集。结果与连续扩展开口环谐振器（ESRR）获得的结果进行了比较。与 ESRR 相比，平面 SRR 阵列表现出增强的阻尼和更窄的 $\mu^\prime<0$ 频率范围。然而，当阵列尺寸从一维 $N$ 个 SRR 阵列扩展到 $2\times 2\times N$ 阵列时，观察到的阻尼差异显著减小。我们的方法也可用于实验确定其他超材料设计的有效磁导率。