晶体HfTe5中的手性异常与超高迁移率
材料科学
2016-04-21 v1
摘要
HfTe5被预测为研究拓扑相的有前景平台。本文通过电输运研究，首次观测到HfTe5晶体中的手性异常与超高迁移率。当外部磁场与电场平行（B//E）时，观察到HfTe5中的负磁电阻，且一旦B偏离E方向便迅速消失。定量拟合进一步确认手性异常为底层物理机制。此外，通过分析纵向与霍尔迹线的电导张量，揭示了HfTe5中的超高迁移率与超低载流子密度，这为潜在的电子应用铺平了道路。
引用
@article{arxiv.1512.08690,
title = {The Chiral Anomaly and Ultrahigh Mobility in Crystalline HfTe5},
author = {Huichao Wang and Chao-Kai Li and Haiwen Liu and Jiaqiang Yan and Junfeng Wang and Jun Liu and Ziquan Lin and Yanan Li and Yong Wang and Liang Li and David Mandrus and X. C. Xie and Ji Feng and Jian Wang},
journal= {arXiv preprint arXiv:1512.08690},
year = {2016}
}