Te 空位驱动的 ZrTe$_5$ 与 HfTe$_5$ 中的反常输运
材料科学
2024-03-22 v2
摘要
在寻找量子反常的实验特征过程中，层状狄拉克材料 ZrTe 和 HfTe 因可能承载手性反常而备受关注。这些材料表现出负纵向磁电阻（NLMR），这被视为手性对称性破缺的特征。已知 ZrTe 和 HfTe 的反常输运性质与 Te 空位的存在强相关，这引发了关于驱动 NLMR 的微观机制的问题。本工作中，通过第一性原理计算研究了 Te 空位对 ZrTe 和 HfTe 电子结构的影响，以深入理解其如何调制这些材料的输运性质。虽然 Te 空位充当有效压缩应变源，它们也引起电子结构的局域变化，无法简单地用体积效应解释。费米能附近电子结构的重组表明，Te 空位能够解释先前第一性原理研究中一直难以解释的光谱与输运测量。这些结果显示 Te 空位至少部分地贡献于 ZrTe 和 HfTe 的反常输运性质，并为理解这些材料中手性反常的可能性提供了一条路径。
引用
@article{arxiv.2309.16043,
title = {Te Vacancy-Driven Anomalous Transport in ZrTe$_5$ and HfTe$_5$},
author = {Elizabeth A. Peterson and Christopher Lane and Jian-Xin Zhu},
journal= {arXiv preprint arXiv:2309.16043},
year = {2024}
}
备注
9 pages, 4 figures