$\beta$-Ag$_2$Se 中温度诱导的一级电子拓扑转变

$\beta$-Ag$_2$Se 是一种用于室温热电应用与磁阻传感器的有前景的材料。然而，此前无人关注电阻率温度依赖（$\rho$($T)$）中的滞回现象。在此，我们展示在 35 K 以上观察到的宽滞回不仅出现在 $\rho$($T)$ 中，也出现在其他电子性质中，如霍尔系数（$R_H$($T)$）、Seebeck 系数、热导率与紫外光电子能谱（UPS）。我们还表明该滞回不与结构转变相关。$\rho$($T)$ 与 $R_H$($T)$ 显示 $\beta$-Ag$_2$Se 在 300 K 以上呈半导体性，而在 300 K 以下保持金属性。虽然在 300 K 时从费米能级（$E_F$）到其下 0.4 eV 的能量范围内无电子态，但在 15 K 的 UPS 中观察到明显的费米边，表明 $\beta$-Ag$_2$Se 经历了从高温度半导体态到低温度金属态的电子拓扑转变。我们的研究揭示，由于 $\beta$-Ag$_2$Se 中宽的半导体到金属转变，在 300–395 K 范围内观察到恒定且中等偏高的热电优值（$ZT$）。