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基于GaAs异质结构界面二维电子气的量子隐形传态

量子物理 2016-12-14 v5

摘要

受Bennett等人方案的启发,我们提出了一种在GaAs异质结构界面处形成的二维电子气中形成的量子比特的隐形传态协议。该隐形传态利用三个GaAs量子点(记为PP\mathcal{P}\mathcal{P}', QQ\mathcal{Q}\mathcal{Q}', RR\mathcal{R}\mathcal{R}')和三个电子实现。GaAs量子点PP\mathcal{P}\mathcal{P}'上的电子自旋用于编码未知量子比特。GaAs量子点QQ\mathcal{Q}\mathcal{Q}'RR\mathcal{R}\mathcal{R}'结合形成纠缠态。Alice(发送方)对配对(P,Q\mathcal{P},\mathcal{Q})和(P,Q\mathcal{P}',\mathcal{Q}')执行贝尔测量。根据测量结果,Bob(接收方)可使用量子门的合适哈密顿量将基于自旋的信息转换为基于电荷的信息。本工作对Chem. Phys. Lett. 421 (2006) 338中的误解提供了相关修正。

关键词

引用

@article{arxiv.1510.08425,
  title  = {Teleportation with two-dimensional electron gas formed at the interface of a GaAs heterostructure},
  author = {Adenike Grace Adepoju and Babatunde James Falaye and Guo-Hua Sun and Oscar Camacho-Nieto and Shi-Hai Dong},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1510.08425},
  year   = {2016}
}