调控多段圆柱纳米元件中畴壁的成核
介观与纳米尺度物理
2015-05-05 v2 计算物理
摘要
通过 Monte Carlo 模拟研究了由交替纳米线和纳米管段组成的三段式圆柱纳米元件的磁化反转。此类纳米元件可能表现出三态行为，由于畴壁在线 - 管界面处的亚稳钉扎，其磁滞回线中出现中间平台。结果表明，涡旋畴壁和横向畴壁均有助于磁化反转。通过改变元件的几何参数、序列或材料，可以调控畴壁的成核位置及其成核场。特别有趣的是，通过改变混合纳米元件的几何结构，提供了一种驱动畴壁沿相同或相反方向相干运动的新可能性。这一重要特征为基于畴壁运动的逻辑器件构建增加了额外的灵活性。另一个显著结果是，当外加磁场增加时，畴壁可在元件中心附近成核，然后 travers 至圆柱结构的外端，这也开启了利用这些三段式纳米元件作为大尺寸成核焊盘的替代品进行场诱导畴壁递送的可能性。
引用
@article{arxiv.1410.5742,
title = {Tailoring the nucleation of domain walls along multi-segmented cylindrical nanoelements},
author = {R. F. Neumann and M. Bahiana and S. Allende and D. Altbir and D. Görlitz and K. Nielsch},
journal= {arXiv preprint arXiv:1410.5742},
year = {2015}
}
备注
17 pages (1.5 spacing), 8 Figures, 1 Table