利用基片偏置调控 β-钨生长及其在 β-W/Py 异质结构中的 FMR 驱动自旋泵送效应
材料科学
2024-12-31 v2
摘要
β-钨（β-W）作为钨的 A15 立方相，具有远高于其晶体结构 α-钨（α-W）的巨型自旋格林角，从而使其在自旋电子器件中具有重要应用前景。本文报告了通过直流溅射制备的 β-W 薄膜的受控生长，其中基片偏置作为调控沉积原子能量以稳定 β 相的关键因素。该方法使 β-W 薄膜可在宽广的厚度范围内形成。此外，我们研究了利用基片偏置实现的不同钨相之间的自旋泵送现象。铁磁共振测量表明，与以 α-W/Py 为主的薄膜相比，β-W/Py 的磁迟滞系数（α_eff）显著增大。有效自旋混合电导（g_eff^↑↓）结果显示，β-W/Py 的界面结构优于 α-W/Py，这归因于两种相之间的界面差异。重要的是，基片偏置并未导致界面质量下降，凸显了其有效性。这些发现突出了基片偏置在薄膜工程中的潜力，为其在自旋电子器件中的高级应用铺平了道路。
引用
@article{arxiv.2406.09749,
title = {Tailoring the Growth of $\beta$-Tungsten Using Substrate Bias and Its Effect on FMR-Driven Spin Pumping in $\beta$-W/Py Heterostructures},
author = {Abhay Singh Rajawat and Naim Ahmad and Risvana Nasril and Tasneem Sheikh and Mohammad Muhiuddin and Savita Sahu and Ashwani Gautam and A kumar and Md. Imteyaz Ahmad and G. A. Basheed and Mohammad R. Rahman and Waseem Akhtar},
journal= {arXiv preprint arXiv:2406.09749},
year = {2024}
}
备注
9 pages, 7 figures