Si CMOS 光子平台上的合成维度能带结构
光学
2022-04-19 v1 介观与纳米尺度物理
量子气体
摘要
合成维度利用非空间自由度模拟空间坐标，因能在简单结构上建模高维现象而在拓扑科学及其他领域引起关注。我们展示了在采用 CMOS 工艺制备的硅环形谐振腔光子器件上合成频率维度的首次实现。我们通过获取高达 280 GHz 带宽的光学频率梳状谱，并测量集成器件上的首批合成能带结构，确认其耦合模式对应于一维紧束缚模型。此外，我们实现了沿频率维度的两类规范势，并通过相关能带结构探测了其效应。电场的类比通过调制失谐产生，而有效磁场则利用同步的近邻与次近邻耦合诱导。在单片 Si CMOS 器件上创建耦合模式晶格与两种有效力，是拓扑原理更广泛应用的关键一步。
引用
@article{arxiv.2105.13742,
title = {Synthetic dimension band structures on a Si CMOS photonic platform},
author = {Armandas Balčytis and Tomoki Ozawa and Yasutomo Ota and Satoshi Iwamoto and Jun Maeda and Toshihiko Baba},
journal= {arXiv preprint arXiv:2105.13742},
year = {2022}
}
备注
12 pages, 5 figures