半导体异质 epitaxy中的表面活性剂: 热力学和/或动力学?
材料科学
2007-05-23 v1 无序系统与神经网络
摘要
讨论了表面活性剂对半导体异质epitaxy热力学和动力学的影响.认为表面活性剂抑制3D岛形成的热力学驱动力的方式取决于覆盖层与表面活性剂原子交换的机制.如果覆盖层原子占据由离开的表面活性剂二聚体提供的类bulk位置(如Ge/Si(001)情形),则大尺度原子位移被强行抑制,覆盖层与基底的 wetting几乎完全实现.这种与基底的完全 wetting意味着3D岛形成的热力学驱动力为零.一旦热力学不再要求3D岛形成,随温度变化的生长模式变化就不应再观察到.因此, 生长模式随温度变化的现象表明了动力学在Ge/Si(111)等情况下的主要作用.
引用
@article{arxiv.cond-mat/0010452,
title = {Surfactants in semiconductor heteroepitaxy: Thermodynamics and/or kinetics?},
author = {Ivan Markov},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0010452},
year = {2007}
}
备注
8 pages, 1 fig. To be published in NATO ASI Series "Collective Diffusion on Surfaces: Collective Behaviour and the Role of Adatom Interactions". Edited by M. C. Tringides and Z. Chvoj, (Kluwer Academic Publ., Dordrecht)