以扭曲光子产生的表面光电效应作为扭曲电子的源
介观与纳米尺度物理
2025-06-10 v1
摘要
本文发展了扭曲光子产生表面光电效应的理论。推导了记录扭曲光电子概率的显式表达式。找到了表面光电效应可用作纯扭曲电子源的条件。结果表明，温度低于 K 且界面无缺陷的轻掺杂 n-InSb 晶体满足这些条件。电子化学势接近 Dirac 锥顶部的 Dirac 和 Weyl 半金属在温度低于 K 时也满足这些条件，同样可用于通过光电效应设计纯扭曲电子源。
引用
@article{arxiv.2409.08152,
title = {Surface photoelectric effect by twisted photons as a source of twisted electrons},
author = {P. O. Kazinski and M. V. Mokrinskiy and V. A. Ryakin},
journal= {arXiv preprint arXiv:2409.08152},
year = {2025}
}
备注
19 pp., 2 figs