表面形貌促进强耦合电子-氖离子状态的捕获

约束在自由氖面上并通过电路量子电动力学（circuit QED）架构进行操控的单个电子是一种有前景的新型量子计算平台。理解电子-氖（eNe）离子状态的确切物理本质对于实现该平台在量子技术中的潜力至关重要。我们研究了共振器沟槽深度和基底面属性如何影响eNe离子状态的形成以及其与微波共振器的耦合。通过实验观察并结合建模，我们发现共振器特征的浅层刻蚀可最大化耦合强度。通过比较具有不同沟槽粗糙度器件的捕获统计信息和面积形貌， our work揭示了制造引起的表面特征在强耦合eNe状态形成中的作用。