纳米金刚石中氮空位缺陷的表面诱导电荷态转换
材料科学
2015-05-19 v3 量子物理
摘要
我们研究了纳米金刚石（NDs）中单个氮空位（NV）缺陷的电荷态转换。我们首先证明，相对于其中性对应态 NV⁰，带负电的 NV⁻ 缺陷的比例随 ND 尺寸减小而降低。随后我们提出了一种基于 ND 表面一层电子陷阱的简单模型，该模型与记录的统计结果吻合良好。通过热氧化去除 ND 周围的非晶碳壳层，我们证明了 10 nm NDs 中 NV⁻ 缺陷的比例显著增加。这些结果对于进一步理解、控制和利用纳米金刚石中带负电 NV 缺陷的独特性质具有重要价值。
引用
@article{arxiv.1008.2276,
title = {Surface-induced charge state conversion of nitrogen-vacancy defects in nanodiamonds},
author = {L. Rondin and G. Dantelle and A. Slablab and F. Grosshans and F. Treussart and P. Bergonzo and S. Perruchas and T. Gacoin and M. Chaigneau and H. -C. Chang and V. Jacques and J. -F. Roch},
journal= {arXiv preprint arXiv:1008.2276},
year = {2015}
}
备注
6 pages, 4 figures