InAs 纳米线双量子点中自旋弛豫的抑制
介观与纳米尺度物理
2009-11-13 v1
摘要
我们研究了在 InAs 纳米线中由顶栅定义的双量子点中的三重态-单重态弛豫。在泡利自旋阻塞机制下，泄漏电流主要可归因于自旋弛豫。虽然在弱和强点间耦合下弛豫由两种独立的机制主导，但在中等耦合和有限磁场下弛豫被强烈抑制。此外，我们观察到自旋不守恒电流作为磁场函数的特征性双稳态。我们提出了一个模型，其中这些特征通过超精细和自旋轨道介导的弛豫之间的相互作用实现的核自旋极化来解释。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0701054,
title = {Suppression of spin relaxation in an InAs nanowire double quantum dot},
author = {A. Pfund and I. Shorubalko and K. Ensslin and R. Leturcq},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0701054},
year = {2009}
}
备注
5 pages, 4 figures