通过连续量子芝诺效应抑制超冷分子的损耗
量子物理
2014-02-25 v2 量子气体
原子物理
摘要
我们从理论上研究了当格点内损耗率大于晶格中所有其他能标时，双体损耗的抑制现象。这项工作定量解释了最近观察到的现象：在一维管中沿管方向具有弱晶格的费米子 KRb 分子的两个转动态之间的化学反应受到抑制 [Yan et al., Nature 501, 521-525 (2013)]。在不同晶格参数但受控初始条件下进行的新损耗率测量表明，损耗抑制是晶格限制和连续量子芝诺效应共同作用的结果。一个对通用强反应系统相关的关键发现是，虽然单带理论可以定性描述数据，但定量分析必须包含多带效应。考虑这些效应会将推断的分子填充分数降低五倍。速率方程可以描述大部分数据，但为了在所有晶格参数下以固定填充分数正确复现损耗动力学，我们开发了一个平均场模型，并用数值精确的时间依赖密度矩阵重整化群计算对其进行了基准测试。
引用
@article{arxiv.1310.2221,
title = {Suppressing the loss of ultracold molecules via the continuous quantum Zeno effect},
author = {Bihui Zhu and Bryce Gadway and Michael Foss-Feig and Johannes Schachenmayer and Michael Wall and Kaden R. A. Hazzard and Bo Yan and Steven A. Moses and Jacob P. Covey and Deborah S. Jin and Jun Ye and Murray Holland and Ana Maria Rey},
journal= {arXiv preprint arXiv:1310.2221},
year = {2014}
}
备注
4+ pages main text, 4 figures. 3 pages supplementary material, 2 figures