超级新星反冲冲击与 SiC 生长
天体物理学
2009-11-07 v1
摘要
我们提出了 X 型 SiC 预星体粒子同位素组成被 Type II 超级新星反冲冲击所改变的新机制。我们阐述了三个反冲冲击时刻：H 包层附近 t = 10^6 s 时的压力波；10^8-10^9 s 时来自预超新星风的反冲冲击；10^10 s 时来自星际介质的反冲冲击。利用 1-D 水动学模型，我们显示，前者在 t = 10^6 s 附近创建密集的硅和碳原子壳层，其中 SiC 必然凝结。第二次反冲冲击导致预凝结的粒子在减速气体中快速前进，期间发生植入、喷溅和进一步凝结的同时。第三次反冲冲击仅导致进一步的离子植入和喷溅，可能影响迹лич元素同位素组成。我们使用 25M_⊙ 超级新星模型，提出了以下未解之谜的解决方案：SiC 在何处凝结？SiC 为何优先于石墨凝结？凝结的 SiC 为何是 ^28^Si 富集的？O 丰度为何不妨碍 SiC 凝结？在径向坐标 r_0 处于时间 t_0 凝结的粒子影响多少个原子？这些考虑为解释流星体中发现的 SiC X 粒子及其对超级新星物理学的意义提供了道路。
引用
@article{arxiv.astro-ph/0302120,
title = {Supernova Reverse Shocks and SiC Growth},
author = {E. A. -N. Deneault and D. D. Clayton and A. Heger},
journal= {arXiv preprint arXiv:astro-ph/0302120},
year = {2009}
}
备注
28 pages, 14 figures, animation for Figure 3 and machine-readable Table 3 can be found at http://antares.steelangel.com/~edeneau/supernova/DHC_2003, Submitted to ApJ