II 型超新星中碳化硅的晚期形成
太阳与恒星天体物理
2018-01-22 v1
摘要
我们发现，来自超新星的单个前太阳碳化硅（SiC）尘埃颗粒在 Ti 与 Si 过剩之间呈现正相关，这归因于短寿命（ 天）的 V 衰变为 Ti，发生于内部高度富 Si 的 Si/S 区。V-Ti 计时器限定这些超新星 SiC 尘埃颗粒在其母星爆炸后至少两年才形成。该结果支持了近期预言超新星中碳质与 SiC 颗粒延迟形成的尘埃凝聚计算。因此，超新星中数年时间内尘埃持续累积的天文观测，可解释为 C 富尘埃不断加入超新星尘埃库的过程。
引用
@article{arxiv.1801.06463,
title = {Late formation of silicon carbide in type II supernovae},
author = {Nan Liu and Larry R. Nittler and Conel O'M. D. Alexander and Jianhua Wang},
journal= {arXiv preprint arXiv:1801.06463},
year = {2018}
}