中文

非$\sigma_{\rm h}$对称类Dirac二维材料中由弯曲模诱导的超导性:硅烯与锗烯的理论研究

超导电性 2018-04-18 v1

摘要

在缺乏晶格水平面反射对称(非-σh\sigma_{\rm h}-对称)的二维晶体中,电子可在一阶上与弯曲模(ZA声子)耦合。我们表明,在此类同时具有类Dirac电子色散的材料中,只要弯曲模不被支撑衬底或栅绝缘体的附加相互作用所阻尼或抑制,强耦合可导致由这些声子介导的电子配对。我们考虑若干模型:弱耦合极限(仅适用于带隙抛物型材料,如stanene和HfSe2_{2},得益于弱耦合);在常数能隙近似下求解并考虑静态屏蔽相互作用的完整能隙方程;及其对能量依赖能隙和动态屏蔽的推广。我们认为,在硅烯和锗烯中,该过程介导的超导性可呈现几K的临界温度,当计入高介电常数环境效应时甚至可达几十K。我们得出结论:在非-σh\sigma_{\rm h}-对称二维晶体的可能超导性研究中,即使考虑其他耦合形式,也应包含电子/弯曲模耦合。

关键词

引用

@article{arxiv.1802.06272,
  title  = {Superconductivity induced by flexural modes in non $\sigma_{\rm h}$-symmetric Dirac-like two-dimensional materials: A theoretical study for silicene and germanene},
  author = {Massimo V. Fischetti and Arup Polley},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1802.06272},
  year   = {2018}
}

备注

15 pages, 7 figures