含 C40 手性结构的掺杂德氏体 TaAl$_{x}$Ge$_{2-x}$ 超导性

我们报告了一系列新的手性金属间化合物 TaAl$_{x}$Ge$_{2-x}$。母体化合物 TaGe$_2$ 具有 C40 型手性六方晶体结构，包含一对反构空间群 $P6{_2}22$ 和 $P6{_4}22$。通过用 Al 替代 Ge，合成了具有 C40 结构的 TaAl$_{x}$Ge$_{2-x}$ 多晶体，Al 替代率 $x$ 从 0 到 0.8。磁感抗性、磁化曲线和电阻率测量表明，TaAl$_{x}$Ge$_{2-x}$ 当 $x$ 为 0.2 到 0.4 时，为 II 型超导体，超导相变温度 $T_{\rm c}$ 为 2.0 到 2.2 K。当 $x$ 小于 0.2 或大于 0.4 时，超导性消失或明显抑制，尽管所有测量均在 1.8 K 以上进行。讨论了超导性出现是如何与 Al 替代导致的晶格常数变化有关的。