钽自插层 4$Ha$-Ta$_{1.03}$Se$_2$ 中的超导性

TaSe$_2$ 有多种多型体以及丰富的物理性质，如超导性和电荷密度波（CDW），在过去几十年中已被研究。然而，迄今为止尚无关于 4$Ha$ 多型体物理性质的报道。在此我们报道钽自插层 4$Ha$-Ta$_{1.03}$Se$_2$ 单晶的晶体生长与超导性的发现，其超导转变起始温度 $T_{\rm c}$ $\approx$ 2.7 K，这是 TaSe$_2$ 的 4$Ha$ 多型体中超导性的首次观测。在约 106 K 处发现轻微受抑的 CDW 转变。当磁场施加于 $ab$ 面内时，发现较大的 $\mu_0H_{\rm c2}/T_{\rm c}$ 值约 4.48，这可能源于增强的自旋轨道耦合（SOC）。观察到特殊的层错，进一步增强了各向异性。尽管费米能级处的态密度低于其他多型体， $T_{\rm c}$ 保持不变，表明 4$Ha$ 多型体的堆垛模式可能有利于 TaSe$_2$ 中的超导性。