高压合成纯MgB2及掺杂MgB2化合物的超导性
超导电性
2007-05-23 v1
摘要
在多向压机(3.5-6 GPa, 900-1000℃)下合成了密集的纯MgB2及掺杂(Mg1-xAx)B2样品，其中A为Na、Ca、Cu、Ag、Zn和Al，掺杂量x最高可达0.20。通过X射线衍射、扫描电子显微镜对其进行结构表征，并通过交变 susceptibility、磁化和输运测量研究其超导性能。结果表明，仅Al元素真正掺入Mg位点，其余元素形成与B或Mg的次相。对Tc、jc临界电流、Hirr和Hc2的超导性能没有显著影响。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0206409,
title = {Superconductivity in high-pressure synthesized pure and doped MgB2 compounds},
author = {P. Toulemonde and N. Musolino and H. L. Suo and R. Flukiger},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0206409},
year = {2007}
}
备注
21 pages, 7 figures, submitted to Journal of Superconductivity (Proceedings SCRM 2002)