电荷掺杂调控 Ba1-xKxTi2Sb2O (0 < x < 1) 中的超导电性
超导电性
2014-01-21 v1 材料科学
强关联电子
摘要
通过固相反应合成了锑化物 - 氧化物固溶体 Ba1-xKxTi2Sb2O (0 < x < 1)，并通过 X 射线粉末衍射进行了表征（CeCr2Si2C 型结构；P4/mmm，Z = 1）。其晶体结构由沿 c 轴与钡原子层堆叠的 Ti2Sb2O 层组成。BaTi2Sb2O 是一种已知的超导体，其临界温度 (Tc) 为 1.2 K。用钾取代钡可将 Tc 提高至钾含量为 12% 时的 6.1 K，而当浓度高于 20% 时则不出现超导电性。电输运和磁化率中的异常现象表明存在电荷密度波 (CDW) 不稳定性。CDW 转变温度 (Ta) 从母体化合物的 50 K 降低至 10% 钾取代时的 28 K。在更高浓度下未检测到 CDW 转变，也未发现 Ta 以下晶格对称性降低的证据。晶格参数呈线性变化，而晶胞体积随钾浓度增加而增大。尽管体积效应相反，Ba1-xKxTi2Sb2O 的相图 Tc(x) 和 Ta(x) 与已知的 Ba1-xNaxTi2Sb2O (0 < x < 0.33) 系列 remarkably 相似。据此我们得出结论，决定这些超导锑氧化物相图的是电荷而非体积。
引用
@article{arxiv.1308.5660,
title = {Superconductivity in Ba1-xKxTi2Sb2O (0 < x < 1) controlled by charge doping},
author = {Ursula Pachmayr and Dirk Johrendt},
journal= {arXiv preprint arXiv:1308.5660},
year = {2014}
}
备注
12 pages, 5 figures