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NaBi 的超导性质与电子结构

强关联电子 2014-03-18 v1 超导电性

摘要

本文报道了超导 NaBi 的电阻率、直流磁化率和热容测量结果。发现其 TcT_c、比热的电子贡献 γ\gammaΔCp/γTc\Delta C_p/\gamma T_c 比值以及德拜温度分别为 2.15 K、3.4 mJmol1^{-1}K2^{-2}、0.78 和 140 K。计算得出的电子 - 声子耦合常数 (λep=0.62\lambda_{ep} = 0.62) 表明 NaBi 是一种中等耦合超导体。发现其上临界场和相干长度分别为 250 Oe 和 115 nm。电子结构计算显示 NaBi 是一种良导体,这与实验结果一致;Bi 的 pxp_xpyp_y 轨道主导了费米能级处的电子态。

关键词

引用

@article{arxiv.1403.3869,
  title  = {Superconducting properties and electronic structure of NaBi},
  author = {S K Kushwaha and J W Krizan and Jun Xiong and T Klimczuk and Q D Gibson and Tian Liang and N P Ong and R J Cava},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1403.3869},
  year   = {2014}
}

备注

14 pages, 5 figures