单层 FeSe 薄膜中的超导能隙各向异性
超导电性
2016-09-14 v1 强关联电子
摘要
费米面拓扑和配对对称性是超导体的两个关键特征. 单层 (1ML) FeSe 薄膜中的超导电性因其有趣的界面特性以及可能高于 77 K 的超导转变温度 (Tc) 而近期受到广泛关注. 此处, 我们利用角度分辨光电子能谱 (ARPES) 对 1ML FeSe 中的费米面和超导能隙进行了高分辨率测量. 两个椭圆状电子口袋在布里渊区角落清晰可辨且相互重叠. 超导能隙无节点但具有中等各向异性, 这对确定配对对称性构成了严格约束. 能隙最大值位于椭圆的长轴方向, 这无法由单 d 波、扩展 s 波或 s± 能隙函数单独解释. 在电子口袋的交叠处观测到四个能隙最小值, 暗示 1ML FeSe 中存在符号变化或轨道依赖的配对机制.
引用
@article{arxiv.1512.06322,
title = {Superconducting gap anisotropy in monolayer FeSe thin film},
author = {Y. Zhang and J. J. Lee and R. G. Moore and W. Li and M. Yi and M. Hashimoto and D. H. Lu and T. P. Devereaux and D. -H. Lee and Z. -X. Shen},
journal= {arXiv preprint arXiv:1512.06322},
year = {2016}
}
备注
15 pages, 4 figures