利用霍尔效应探测薄 NbN 膜中的超导涨落

我们全面研究了正常态中的超导涨落如何对薄（119 $\AA$）NbN 膜的电导张量产生贡献。结果表明，这些涨落在超导转变附近的低磁场下驱动霍尔系数 $R_\mathrm{H}$ 发生符号改变。纵向电导率（$\sigma_\mathrm{xx}$）和横向电导率（$\sigma_\mathrm{xy}$）作为到转变距离 $\epsilon=\ln(T/T_\mathrm{c})$ 的函数的标度行为，被发现与高斯涨落理论一致。此外，理论与实验在无需任何可调参数的情况下获得了极好的定量吻合。因此，我们的实验结果为源自短寿命库珀对的电导张量提供了一个案例研究。